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PECVD系統由管式爐

PECVD系統由管式爐

時(shí)間：2020-07-20 16:39:12

所屬分類(lèi)：第二代節能型馬弗爐

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PECVD系統由管式爐,石英真空管、真空系統、供氣系統、射頻電源系統等組成。 PECVD 系統主要應用于金屬薄膜,陶瓷薄膜等,復合薄膜,石墨烯等生長(cháng)。 洛陽(yáng)西格馬可生產(chǎn)1200度實(shí)驗用小型PECVD、1200度實(shí)驗用雙溫區管式爐小型PECVD、低真空CVD系統、等離子增強化學(xué)氣相沉積系統。

PECVD系統與CVD有什么區別？
氣相沉積法化學(xué)氣相沉積(CVD)是半導體工業(yè)中應用*為廣泛的用來(lái)沉積多種材 料的技術(shù)， 包括大范 圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料。
CVD 技術(shù)常常通過(guò)反應類(lèi)型或者壓力來(lái)分類(lèi)，包括低壓 CVD(LPCVD)，常壓 CVD(APCVD)，亞常壓 CVD(SACVD)，超高真空 CVD(UHCVD)，等離子體增強 CVD(PECVD)，高密度等離子體 CVD(HDPCVD) 以及快熱 CVD(RTCVD)。
PECVD：是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應，因而這種CVD稱(chēng)為等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD).
PVD和熱錨點(diǎn)CVD相比，PECVD可以在相對較低的溫度（小于350℃）下沉積出高均勻性薄膜。此外，對于SiO2, SiNx, a-Si, SiON 和 DLC等材料的沉積，等離子沉積技術(shù)提供了優(yōu)秀的薄膜性能控制（折射率、硬度等）。
1200度實(shí)驗用小型PECVD系統用途
1200度實(shí)驗用小型PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。
1200度實(shí)驗用小型PECVD系統系統配置；
1、1200度開(kāi)啟式滑動(dòng)單溫區真空管式爐
2、等離子射頻電源
3、多路質(zhì)量流量控制系統
4、真空系統（單獨購買(mǎi)）
1200度實(shí)驗用小型PECVD系統特性：
可實(shí)現手動(dòng)滑動(dòng)或自動(dòng)滑動(dòng)、氣路數量2-5可選擇；溫度范圍寬；濺射區域長(cháng)；整管可調；精致小巧，性?xún)r(jià)比高，可實(shí)現快速升降溫，是實(shí)驗室生長(cháng)薄膜石墨烯，陶瓷薄膜，金屬薄膜，復合薄膜等的不錯的選擇，也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。